casa / produtos / Capacitores / Capacitores de óxido de nióbio / NOSD227M004R0100
Número da peça de fabricante | NOSD227M004R0100 |
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Número da peça futura | FT-NOSD227M004R0100 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OxiCap® NOS |
NOSD227M004R0100 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Capacitância | 220µF |
Tolerância | ±20% |
Voltagem - Rated | 4V |
ESR (Equivalent Series Resistance) | 100 mOhms |
Corrente - Vazamento | 17.6µA |
Fator de dissipação | 8% |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 2917 (7343 Metric) |
Código do tamanho do fabricante | D |
Altura - Sentado (Max) | 0.122" (3.10mm) |
Características | Low ESR |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 2917 (7343 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NOSD227M004R0100 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NOSD227M004R0100-FT |
NOJC107M001RWJ
AVX Corporation
NOJC107M002RWJ
AVX Corporation
NOJC107M002SWJ
AVX Corporation
NOJC107M004RWJ
AVX Corporation
NOJC107M006RWJ
AVX Corporation
NOJC157M001RWJ
AVX Corporation
NOJC157M002RWJ
AVX Corporation
NOJC157M002SWJ
AVX Corporation
NOJC157M004RWJ
AVX Corporation
NOJC157M006RWJ
AVX Corporation
XA6SLX75-2CSG484Q
Xilinx Inc.
10M25DAF256I7G
Intel
EP4CE15E22C6
Intel
5SGXMB9R1H43C2LN
Intel
XC2V8000-4FFG1152C
Xilinx Inc.
XC2VP20-6FFG896C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100CQ208C8ES
Intel
5SGXMA3H3F35I3LN
Intel
EP4SGX530HH35C3
Intel