casa / produtos / Capacitores / Capacitores de óxido de nióbio / NOSE227M006R0080
Número da peça de fabricante | NOSE227M006R0080 |
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Número da peça futura | FT-NOSE227M006R0080 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OxiCap® NOS |
NOSE227M006R0080 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Capacitância | 220µF |
Tolerância | ±20% |
Voltagem - Rated | 6.3V |
ESR (Equivalent Series Resistance) | 80 mOhms |
Corrente - Vazamento | 26.4µA |
Fator de dissipação | 12% |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 2917 (7343 Metric) |
Código do tamanho do fabricante | E |
Altura - Sentado (Max) | 0.169" (4.30mm) |
Características | Low ESR |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 2917 (7343 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NOSE227M006R0080 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NOSE227M006R0080-FT |
NOJC157M002RWJ
AVX Corporation
NOJC157M002SWJ
AVX Corporation
NOJC157M004RWJ
AVX Corporation
NOJC157M006RWJ
AVX Corporation
NOJC226M010RWJ
AVX Corporation
NOJC227M001RWJ
AVX Corporation
NOJC227M002RWJ
AVX Corporation
NOJC227M004RWJ
AVX Corporation
NOJC336M006RWJ
AVX Corporation
NOJC337M001RWJ
AVX Corporation
LCMXO2-1200HC-4TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V1000-4FGG456I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
EP20K300EFI672-3
Intel
EP3C25E144I7N
Intel
5SGXEA9N3F45I3LN
Intel
5SGXEA5H3F35I3L
Intel
5SGXEA4K2F35I3N
Intel
LFXP3C-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-4FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation