casa / produtos / Capacitores / Capacitores de óxido de nióbio / NOSD107M006R0080
Número da peça de fabricante | NOSD107M006R0080 |
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Número da peça futura | FT-NOSD107M006R0080 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OxiCap® NOS |
NOSD107M006R0080 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Capacitância | 100µF |
Tolerância | ±20% |
Voltagem - Rated | 6.3V |
ESR (Equivalent Series Resistance) | 80 mOhms |
Corrente - Vazamento | 12µA |
Fator de dissipação | 6% |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 2917 (7343 Metric) |
Código do tamanho do fabricante | D |
Altura - Sentado (Max) | 0.122" (3.10mm) |
Características | Low ESR |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 2917 (7343 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NOSD107M006R0080 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NOSD107M006R0080-FT |
NOJC476M006RWJ
AVX Corporation
NOSC107M004R0070
AVX Corporation
NOJC107M001RWJ
AVX Corporation
NOJC107M002RWJ
AVX Corporation
NOJC107M002SWJ
AVX Corporation
NOJC107M004RWJ
AVX Corporation
NOJC107M006RWJ
AVX Corporation
NOJC157M001RWJ
AVX Corporation
NOJC157M002RWJ
AVX Corporation
NOJC157M002SWJ
AVX Corporation
A10V10B-VQG80C
Microsemi Corporation
ICE40UP5K-UWG30ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C55U484C8N
Intel
EP4CE30F23C9L
Intel
5SGSED8K3F40I3LN
Intel
5SGXEABN2F45I2LN
Intel
A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
A42MX09-PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3
Intel