casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / MZ0912B100Y,114
Número da peça de fabricante | MZ0912B100Y,114 |
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Número da peça futura | FT-MZ0912B100Y,114 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MZ0912B100Y,114 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 20V |
Freqüência - Transição | 1.215GHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | - |
Ganho | 7.6dB |
Potência - Max | 290W |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 6A |
Temperatura de operação | 200°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | SOT-443A |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | CDFM2 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MZ0912B100Y,114 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MZ0912B100Y,114-FT |
2SC5415AE-TD-E
ON Semiconductor
2SC5415AF-TD-E
ON Semiconductor
2SC5551AE-TD-E
ON Semiconductor
2SC5551AF-TD-E
ON Semiconductor
MMBTH10M3T5G
ON Semiconductor
MMBTH10LT3G
ON Semiconductor
MMBT918LT1G
ON Semiconductor
SMMBTH10-4LT3G
ON Semiconductor
2SC5227A-5-TB-E
ON Semiconductor
MMBTH10LT1G
ON Semiconductor
LAE5UM-45F-6BG381E
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD5C5F27C7N
Intel
EP4CE40F23I7N
Intel
XC2VP7-7FFG896C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XA7A15T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQG100M
Microsemi Corporation
A42MX24-1PQ160I
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S130F780C4N
Intel