casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / MMBTH10LT1G
Número da peça de fabricante | MMBTH10LT1G |
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Número da peça futura | FT-MMBTH10LT1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MMBTH10LT1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 25V |
Freqüência - Transição | 650MHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | - |
Ganho | - |
Potência - Max | 225mW |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 4mA, 10V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 (TO-236) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBTH10LT1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MMBTH10LT1G-FT |
MRF8372R2
Microsemi Corporation
HFA3096BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127BZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096BZ96
Renesas Electronics America Inc.
CA3127M
Renesas Electronics America Inc.
CA3127MZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096B
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096B96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127B
Renesas Electronics America Inc.
LFE2-70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6016ATC100-2N
Intel
EP20K600CF672I8N
Intel
10AX027E3F29E2LG
Intel
XC7VX690T-2FF1761I
Xilinx Inc.
XC6VLX75T-2FFG784C
Xilinx Inc.
XC7A75T-L1CSG324I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-9400E-5MG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EBC356-2X
Intel