casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / 2SC5551AE-TD-E
Número da peça de fabricante | 2SC5551AE-TD-E |
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Número da peça futura | FT-2SC5551AE-TD-E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2SC5551AE-TD-E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 30V |
Freqüência - Transição | 3.5GHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | - |
Ganho | - |
Potência - Max | 1.3W |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 90 @ 50mA, 5V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 300mA |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-243AA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PCP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC5551AE-TD-E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2SC5551AE-TD-E-FT |
MRF5812GR2
Microsemi Corporation
MRF5812R1
Microsemi Corporation
MRF8372
Microsemi Corporation
MRF8372G
Microsemi Corporation
MRF8372GR1
Microsemi Corporation
MRF8372GR2
Microsemi Corporation
MRF8372R1
Microsemi Corporation
MRF8372R2
Microsemi Corporation
HFA3096BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127BZ
Renesas Electronics America Inc.
XC3S400-4PQG208I
Xilinx Inc.
XA3S400-4FGG456I
Xilinx Inc.
APA150-FG256
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7
Intel
EP20K200CF672C8
Intel
XC5VLX110T-2FF1136C
Xilinx Inc.
LFXP2-17E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA7U19C7N
Intel
EPF10K50SQC208-1
Intel
5SGSMD3H2F35C2LN
Intel