casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / 2SC5551AE-TD-E
Número da peça de fabricante | 2SC5551AE-TD-E |
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Número da peça futura | FT-2SC5551AE-TD-E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2SC5551AE-TD-E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 30V |
Freqüência - Transição | 3.5GHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | - |
Ganho | - |
Potência - Max | 1.3W |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 90 @ 50mA, 5V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 300mA |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-243AA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PCP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC5551AE-TD-E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2SC5551AE-TD-E-FT |
MRF5812GR2
Microsemi Corporation
MRF5812R1
Microsemi Corporation
MRF8372
Microsemi Corporation
MRF8372G
Microsemi Corporation
MRF8372GR1
Microsemi Corporation
MRF8372GR2
Microsemi Corporation
MRF8372R1
Microsemi Corporation
MRF8372R2
Microsemi Corporation
HFA3096BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127BZ
Renesas Electronics America Inc.
XC7A15T-L1FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL050T-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-FGG484I
Microsemi Corporation
M2GL025-1VF400I
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484C7
Intel
EPF10K100EFC484-1X
Intel
5SGXEA4H2F35C3N
Intel
LCMXO3LF-4300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C6
Intel
EP4SGX230FF35C2XN
Intel