casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / 2SC5415AE-TD-E
Número da peça de fabricante | 2SC5415AE-TD-E |
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Número da peça futura | FT-2SC5415AE-TD-E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2SC5415AE-TD-E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 12V |
Freqüência - Transição | 6.7GHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
Ganho | 9dB |
Potência - Max | 800mW |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 90 @ 30mA, 5V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-243AA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PCP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC5415AE-TD-E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2SC5415AE-TD-E-FT |
MRF5812G
Microsemi Corporation
MRF5812GR1
Microsemi Corporation
MRF5812GR2
Microsemi Corporation
MRF5812R1
Microsemi Corporation
MRF8372
Microsemi Corporation
MRF8372G
Microsemi Corporation
MRF8372GR1
Microsemi Corporation
MRF8372GR2
Microsemi Corporation
MRF8372R1
Microsemi Corporation
MRF8372R2
Microsemi Corporation
XC3S50A-4TQ144C
Xilinx Inc.
XC4013E-3PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484
Microsemi Corporation
A3P030-1QNG48I
Microsemi Corporation
M7AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
EP1C3T100I7N
Intel
5SGXEA4K3F35I3LN
Intel
XC4VLX25-10FFG676C
Xilinx Inc.
10AX066K3F40I2LG
Intel
EP1K100QC208-1N
Intel