casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / 2SC5551AF-TD-E
Número da peça de fabricante | 2SC5551AF-TD-E |
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Número da peça futura | FT-2SC5551AF-TD-E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2SC5551AF-TD-E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 30V |
Freqüência - Transição | 3.5GHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | - |
Ganho | - |
Potência - Max | 1.3W |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 135 @ 50mA, 5V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 300mA |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-243AA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PCP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC5551AF-TD-E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2SC5551AF-TD-E-FT |
MRF5812R1
Microsemi Corporation
MRF8372
Microsemi Corporation
MRF8372G
Microsemi Corporation
MRF8372GR1
Microsemi Corporation
MRF8372GR2
Microsemi Corporation
MRF8372R1
Microsemi Corporation
MRF8372R2
Microsemi Corporation
HFA3096BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127BZ96
Renesas Electronics America Inc.
A40MX04-VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K20TC144-4
Intel
A42MX24-PQG208A
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-6BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DCF256I7G
Intel
EP2AGX125DF25C5NES
Intel
10AX032E4F27E3LG
Intel
LFEC6E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-9FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N1F45I1SG
Intel