casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / 2SC5551AF-TD-E
Número da peça de fabricante | 2SC5551AF-TD-E |
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Número da peça futura | FT-2SC5551AF-TD-E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2SC5551AF-TD-E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 30V |
Freqüência - Transição | 3.5GHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | - |
Ganho | - |
Potência - Max | 1.3W |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 135 @ 50mA, 5V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 300mA |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-243AA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PCP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC5551AF-TD-E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2SC5551AF-TD-E-FT |
MRF5812R1
Microsemi Corporation
MRF8372
Microsemi Corporation
MRF8372G
Microsemi Corporation
MRF8372GR1
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MRF8372GR2
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MRF8372R1
Microsemi Corporation
MRF8372R2
Microsemi Corporation
HFA3096BZ
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HFA3127BZ
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HFA3127BZ96
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A1415A-PQG100C
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A3PN250-VQG100I
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