casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / 2SC5551AF-TD-E
Número da peça de fabricante | 2SC5551AF-TD-E |
---|---|
Número da peça futura | FT-2SC5551AF-TD-E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2SC5551AF-TD-E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 30V |
Freqüência - Transição | 3.5GHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | - |
Ganho | - |
Potência - Max | 1.3W |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 135 @ 50mA, 5V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 300mA |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-243AA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PCP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC5551AF-TD-E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2SC5551AF-TD-E-FT |
MRF5812R1
Microsemi Corporation
MRF8372
Microsemi Corporation
MRF8372G
Microsemi Corporation
MRF8372GR1
Microsemi Corporation
MRF8372GR2
Microsemi Corporation
MRF8372R1
Microsemi Corporation
MRF8372R2
Microsemi Corporation
HFA3096BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127BZ96
Renesas Electronics America Inc.
LCMXO2-4000ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75-2CSG484C
Xilinx Inc.
XC4010E-3BG225I
Xilinx Inc.
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
EP20K600EFC672-3
Intel
10M08DCF484C7G
Intel
EP3SL200H780C4L
Intel
XC4006E-3PC84I
Xilinx Inc.
LCMXO2-256ZE-1UMG64C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-25F-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation