casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / NSVB144EPDXV6T1G
Número da peça de fabricante | NSVB144EPDXV6T1G |
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Número da peça futura | FT-NSVB144EPDXV6T1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NSVB144EPDXV6T1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 500mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-563 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVB144EPDXV6T1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSVB144EPDXV6T1G-FT |
EMD5DXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC114EPDXV6T5G
ON Semiconductor
EMD4DXV6T5G
ON Semiconductor
EMD4DXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC115EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBA144WDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC114YDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC144WDXV6T1G
ON Semiconductor
EMF18XV6T5G
ON Semiconductor
NSBA143EDXV6T1G
ON Semiconductor
XC3S200-4TQG144I
Xilinx Inc.
M2GL050-1FGG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50FI256-2N
Intel
5SGXEA4K3F40C3N
Intel
XC7VX690T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FFG900I
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H4F34I3SG
Intel
EP3SE110F780C3N
Intel