casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / MUN5313DW1T1G
Número da peça de fabricante | MUN5313DW1T1G |
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Número da peça futura | FT-MUN5313DW1T1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MUN5313DW1T1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 250mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUN5313DW1T1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MUN5313DW1T1G-FT |
NSBA143EDXV6T1
ON Semiconductor
NSBA143TDXV6T1
ON Semiconductor
NSBA143ZDXV6T1
ON Semiconductor
NSBA143ZDXV6T5G
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NSBA144EDXV6T5
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NSBC113EDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC113EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC113EDXV6T5
ON Semiconductor
NSBC113EPDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC114EDXV6T1
ON Semiconductor
XCS30XL-5TQ144C
Xilinx Inc.
EP1K50TI144-2N
Intel
EP20K30ETC144-2X
Intel
EPF10K30ETC144-2X
Intel
EPF6016ATI144-3
Intel
ICE40HX1K-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP3E-5TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL600V2-FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-3N
Intel
EP2C8F256C7
Intel