casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / NSBA144EDXV6T5
Número da peça de fabricante | NSBA144EDXV6T5 |
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Número da peça futura | FT-NSBA144EDXV6T5 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NSBA144EDXV6T5 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 500mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-563 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSBA144EDXV6T5 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSBA144EDXV6T5-FT |
NSBC114EPDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC123JDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC123JPDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC114EDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC143ZPDP6T5G
ON Semiconductor
NSBA115TDP6T5G
ON Semiconductor
NSBA123TDP6T5G
ON Semiconductor
NSBA143EDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC115TPDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC144WDP6T5G
ON Semiconductor
XC2S200E-6PQ208I
Xilinx Inc.
A3P600-FG256
Microsemi Corporation
10M25DAF256I6G
Intel
EPF6010AFC256-3
Intel
EP4SGX230KF40C2N
Intel
EP4SE530F43C3NES
Intel
5SGXMA4H2F35C2N
Intel
XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LFEC3E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400I7
Intel