casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / NSBC113EDXV6T1
Número da peça de fabricante | NSBC113EDXV6T1 |
---|---|
Número da peça futura | FT-NSBC113EDXV6T1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NSBC113EDXV6T1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 1 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 3 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 500mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-563 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSBC113EDXV6T1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSBC113EDXV6T1-FT |
NSBC123JDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC123JPDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC114EDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC143ZPDP6T5G
ON Semiconductor
NSBA115TDP6T5G
ON Semiconductor
NSBA123TDP6T5G
ON Semiconductor
NSBA143EDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC115TPDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC144WDP6T5G
ON Semiconductor
NSBA144WDP6T5G
ON Semiconductor
XCV50-4FG256C
Xilinx Inc.
A14V15A-VQG100C
Microsemi Corporation
AGLN030V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F40I4
Intel
EP4SGX180KF40I4
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC6VLX130T-1FF784I
Xilinx Inc.
LFE2-6SE-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34E3LG
Intel