casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / NSBA143EDXV6T1
Número da peça de fabricante | NSBA143EDXV6T1 |
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Número da peça futura | FT-NSBA143EDXV6T1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NSBA143EDXV6T1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 4.7 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 500mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-563 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSBA143EDXV6T1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSBA143EDXV6T1-FT |
NSBA114YDP6T5G
ON Semiconductor
NSBA123JDP6T5G
ON Semiconductor
NSBA114EDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC123TDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC114EPDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC123JDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC123JPDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC114EDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC143ZPDP6T5G
ON Semiconductor
NSBA115TDP6T5G
ON Semiconductor
LFXP2-5E-7TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S500E-4CPG132I
Xilinx Inc.
XC4005E-4PQ208I
Xilinx Inc.
LCMXO2280C-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-Z2VQ100
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EP1S20F672C6
Intel
EP2C50F672I8N
Intel
5SGXEA9N2F45C2N
Intel
A42MX24-1PQ160I
Microsemi Corporation
LFXP6C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation