casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / NSBC113EDXV6T1G
Número da peça de fabricante | NSBC113EDXV6T1G |
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Número da peça futura | FT-NSBC113EDXV6T1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NSBC113EDXV6T1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 1 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 3 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 500mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-563 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSBC113EDXV6T1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSBC113EDXV6T1G-FT |
NSBC123JPDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC114EDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC143ZPDP6T5G
ON Semiconductor
NSBA115TDP6T5G
ON Semiconductor
NSBA123TDP6T5G
ON Semiconductor
NSBA143EDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC115TPDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC144WDP6T5G
ON Semiconductor
NSBA144WDP6T5G
ON Semiconductor
NSBA114TDP6T5G
ON Semiconductor
XC6SLX16-3FT256I
Xilinx Inc.
XCKU035-2FBVA676E
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZQNG48I
Microsemi Corporation
EPF10K30AFC256-2N
Intel
5SGXMA5H2F35C2N
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5SGXMA5K3F35C2N
Intel
EP3SE80F1152I4
Intel
LFE3-95E-8FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel