casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / MUN5311DW1T2G
Número da peça de fabricante | MUN5311DW1T2G |
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Número da peça futura | FT-MUN5311DW1T2G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MUN5311DW1T2G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 10 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 250mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUN5311DW1T2G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MUN5311DW1T2G-FT |
NSBA124EDXV6T1
ON Semiconductor
NSBA124EDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBA124XDXV6T1
ON Semiconductor
NSBA143EDXV6T1
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NSBA143TDXV6T1
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NSBA143ZDXV6T1
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NSBA143ZDXV6T5G
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NSBA144EDXV6T5
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NSBC113EDXV6T1
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NSBC113EDXV6T1G
ON Semiconductor
XC6SLX16-2FT256C
Xilinx Inc.
A3P1000-PQ208
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A40MX02-3PLG68I
Microsemi Corporation
5CGXFC4C6F27C6N
Intel
5SGSED6K3F40C2L
Intel
EP4SE530F43I3N
Intel
A42MX09-3PL84
Microsemi Corporation
APA450-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VRC240-1N
Intel