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Infineon Technologies IPI47N10S33AKSA1

Número da peça MFG
IPI47N10S33AKSA1
Quantidade disponível
30530 Peças
Preço de referência
USD 1.006848
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Data de envio
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fabricante
Infineon Technologies
Descrição breve
SIPMOS® MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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IPI47N10S33AKSA1 Especificações

Número da peça de fabricante IPI47N10S33AKSA1
Número da peça futura FT-IPI47N10S33AKSA1
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series SIPMOS®
IPI47N10S33AKSA1 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Not For New Designs
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 47A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33 mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 2mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 105nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2500pF @ 25V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 175W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor PG-TO262-3
Pacote / caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPI47N10S33AKSA1 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição IPI47N10S33AKSA1-FT

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