casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPI47N10S33AKSA1
Número da peça de fabricante | IPI47N10S33AKSA1 |
---|---|
Número da peça futura | FT-IPI47N10S33AKSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | SIPMOS® |
IPI47N10S33AKSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 47A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33 mOhm @ 33A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 105nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2500pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 175W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO262-3 |
Pacote / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI47N10S33AKSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPI47N10S33AKSA1-FT |
BSB012NE2LXIXUMA1
Infineon Technologies
BSB015N04NX3GXUMA1
Infineon Technologies
BSB017N03LX3 G
Infineon Technologies
BSB019N03LX G
Infineon Technologies
BSB024N03LX G
Infineon Technologies
BSB044N08NN3GXUMA1
Infineon Technologies
BSB053N03LP G
Infineon Technologies
BSB104N08NP3GXUSA1
Infineon Technologies
BSB165N15NZ3GXUMA1
Infineon Technologies
BSB280N15NZ3GXUMA1
Infineon Technologies
XCV50-6TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-4SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V5-VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K100ABC600-1
Intel
5SGXMA5K1F40C2LN
Intel
XC4013E-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation