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Infineon Technologies BSB053N03LP G

Número da peça MFG
BSB053N03LP G
Quantidade disponível
23530 Peças
Preço de referência
USD 0
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Data de envio
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fabricante
Infineon Technologies
Descrição breve
OptiMOS™ MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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BSB053N03LP G Especificações

Número da peça de fabricante BSB053N03LP G
Número da peça futura FT-BSB053N03LP G
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series OptiMOS™
BSB053N03LP G Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 17A (Ta), 71A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.3 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2700pF @ 15V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor MG-WDSON-2, CanPAK M™
Pacote / caso 3-WDSON
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSB053N03LP G Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição BSB053N03LP G-FT

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