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Infineon Technologies BSB104N08NP3GXUSA1

Name: BSB104N08NP3GXUSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSB104N08NP3GXUSA1
Price: 0.5268 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (638 reviews)

Número da peça MFG: BSB104N08NP3GXUSA1

Quantidade disponível: 48060 Peças

Preço de referência: USD 0.5268

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fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: OptiMOS™ MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: BSB104N08NP3GXUSA1.pdf

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BSB104N08NP3GXUSA1 Especificações

Número da peça de fabricante	BSB104N08NP3GXUSA1
Número da peça futura	FT-BSB104N08NP3GXUSA1
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	OptiMOS™
BSB104N08NP3GXUSA1 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	13A (Ta), 50A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 40µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	31nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2100pF @ 40V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	2.8W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de operação	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	MG-WDSON-2, CanPAK M™
Pacote / caso	3-WDSON
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSB104N08NP3GXUSA1 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	BSB104N08NP3GXUSA1-FT

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