casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSB165N15NZ3GXUMA1
Número da peça de fabricante | BSB165N15NZ3GXUMA1 |
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Número da peça futura | FT-BSB165N15NZ3GXUMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
BSB165N15NZ3GXUMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 150V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Ta), 45A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 110µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2800pF @ 75V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2.8W (Ta), 78W (Tc) |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
Pacote / caso | 3-WDSON |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSB165N15NZ3GXUMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSB165N15NZ3GXUMA1-FT |
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