casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSB015N04NX3GXUMA1
Número da peça de fabricante | BSB015N04NX3GXUMA1 |
---|---|
Número da peça futura | FT-BSB015N04NX3GXUMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
BSB015N04NX3GXUMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 40V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 36A (Ta), 180A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 142nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 12000pF @ 20V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
Pacote / caso | 3-WDSON |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSB015N04NX3GXUMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSB015N04NX3GXUMA1-FT |
IPZ65R045C7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R125CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R040CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R090CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R055CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPU80R1K4P7AKMA1
Infineon Technologies
IPU80R4K5P7AKMA1
Infineon Technologies
IPL60R199CPAUMA1
Infineon Technologies
IPL60R299CPAUMA1
Infineon Technologies
IPL60R385CPAUMA1
Infineon Technologies
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
AT6002-4AC
Microchip Technology
5SGSED8K3F40I4N
Intel
5SGXEB5R1F40I2N
Intel
5SGXMA3K3F40C2N
Intel
EP3SE260F1517C2N
Intel
LFE2-20SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-8LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I2SGE2
Intel
5CGXFC9E7F35C8N
Intel