casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPI45N06S4L08AKSA1
Número da peça de fabricante | IPI45N06S4L08AKSA1 |
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Número da peça futura | FT-IPI45N06S4L08AKSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPI45N06S4L08AKSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 45A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2 mOhm @ 45A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 35µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±16V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4780pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 71W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO262-3 |
Pacote / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI45N06S4L08AKSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPI45N06S4L08AKSA1-FT |
BSB012N03LX3 G
Infineon Technologies
BSB012NE2LX
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BSB012NE2LXIXUMA1
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BSB015N04NX3GXUMA1
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BSB017N03LX3 G
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BSB044N08NN3GXUMA1
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BSB104N08NP3GXUSA1
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M1AFS250-FG256
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APA600-FG676I
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