casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSB012N03LX3 G
Número da peça de fabricante | BSB012N03LX3 G |
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Número da peça futura | FT-BSB012N03LX3 G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
BSB012N03LX3 G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 39A (Ta), 180A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 169nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 16900pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
Pacote / caso | 3-WDSON |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSB012N03LX3 G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSB012N03LX3 G-FT |
IPT65R195G7XTMA1
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AUIRF7675M2TR
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IPU80R4K5P7AKMA1
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M2GL025T-1VFG256I
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EPF10K10ATC100-1
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5SGXEA3K3F35C2N
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XC4VLX60-12FFG1148C
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XC5VLX30-1FFG676C
Xilinx Inc.
EP20K100FI324-2XV
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