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Infineon Technologies BSB012N03LX3 G

Name: BSB012N03LX3 G
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSB012N03LX3 G
Availability: InStock
Rating: 4.7 (336 reviews)

Número da peça MFG: BSB012N03LX3 G

Quantidade disponível: 25250 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: OptiMOS™ MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: BSB012N03LX3 G.pdf

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BSB012N03LX3 G Especificações

Número da peça de fabricante	BSB012N03LX3 G
Número da peça futura	FT-BSB012N03LX3 G
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	OptiMOS™
BSB012N03LX3 G Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	39A (Ta), 180A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	169nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	16900pF @ 15V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de operação	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	MG-WDSON-2, CanPAK M™
Pacote / caso	3-WDSON
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSB012N03LX3 G Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	BSB012N03LX3 G-FT

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