casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / IFS100B12N3E4B31BOSA1
Número da peça de fabricante | IFS100B12N3E4B31BOSA1 |
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Número da peça futura | FT-IFS100B12N3E4B31BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
IFS100B12N3E4B31BOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | Full Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 200A |
Potência - Max | 515W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 100A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 6.3nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IFS100B12N3E4B31BOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IFS100B12N3E4B31BOSA1-FT |
DF600R12IP4DVBOSA1
Infineon Technologies
DF900R12IP4DBOSA1
Infineon Technologies
DF900R12IP4DVBOSA1
Infineon Technologies
FD1400R12IP4DBOSA1
Infineon Technologies
FD650R17IE4BOSA2
Infineon Technologies
FD900R12IP4DBOSA1
Infineon Technologies
FD900R12IP4DVBOSA1
Infineon Technologies
FF1000R17IE4DB2BOSA1
Infineon Technologies
FF1000R17IE4DPB2BOSA1
Infineon Technologies
FF1000R17IE4PBOSA1
Infineon Technologies
A3PN030-Z2QNG68
Microsemi Corporation
XCS10-3TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLE3000V5-FGG484
Microsemi Corporation
EPF6016ATC100-1
Intel
10CL006YU256I7G
Intel
EP3SE110F1152I4N
Intel
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-2MG132I
Lattice Semiconductor Corporation