casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FF1000R17IE4DB2BOSA1
Número da peça de fabricante | FF1000R17IE4DB2BOSA1 |
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Número da peça futura | FT-FF1000R17IE4DB2BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FF1000R17IE4DB2BOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | - |
Configuração | 2 Independent |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1700V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | - |
Potência - Max | 6250W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 1000A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 5mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 81nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF1000R17IE4DB2BOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FF1000R17IE4DB2BOSA1-FT |
FP40R12KT3BOSA1
Infineon Technologies
FP35R12W2T4B11BOMA1
Infineon Technologies
FP50R06W2E3BOMA1
Infineon Technologies
FP25R12W2T4B11BOMA1
Infineon Technologies
FP25R12KE3BOSA1
Infineon Technologies
BSM35GP120BOSA1
Infineon Technologies
FP15R12W1T4PBPSA1
Infineon Technologies
FP100R12KT4BOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IP4BOSA2
Infineon Technologies
BSM200GB60DLCHOSA1
Infineon Technologies
XC4010XL-1TQ144I
Xilinx Inc.
XC6SLX100-2FGG676I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z2VQ100
Microsemi Corporation
AT40K40-2DQC
Microchip Technology
EP20K300EFC672-2
Intel
5CEFA7F27C7N
Intel
10CL055ZF484I8G
Intel
EP3CLS70F484C8N
Intel
AX1000-2FG676I
Microsemi Corporation
A3P250-FGG144
Microsemi Corporation