casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / DF900R12IP4DBOSA1
Número da peça de fabricante | DF900R12IP4DBOSA1 |
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Número da peça futura | FT-DF900R12IP4DBOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DF900R12IP4DBOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | Single Chopper |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 900A |
Potência - Max | 5100W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.05V @ 15V, 900A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 5mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 54nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DF900R12IP4DBOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DF900R12IP4DBOSA1-FT |
FS150R12KE3BOSA1
Infineon Technologies
FS150R12KT4BOSA1
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XC3S1000-4FT256C
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Xilinx Inc.
AGLE600V2-FG256I
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LCMXO3LF-2100E-5UWG49ITR
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EP2C50F484C7N
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EP1K30FC256-3AA
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5SGSMD4K2F40C3N
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5SGXMA3K3F35C2N
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EP3SL200F1152C3N
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10M08SAM153I7G
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