casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / DF900R12IP4DBOSA1
Número da peça de fabricante | DF900R12IP4DBOSA1 |
---|---|
Número da peça futura | FT-DF900R12IP4DBOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DF900R12IP4DBOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | Single Chopper |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 900A |
Potência - Max | 5100W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.05V @ 15V, 900A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 5mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 54nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DF900R12IP4DBOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DF900R12IP4DBOSA1-FT |
FS150R12KE3BOSA1
Infineon Technologies
FS150R12KT4BOSA1
Infineon Technologies
FS150R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
FS100R12KE3BOSA1
Infineon Technologies
FP75R12KT4B11BOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KT4B11BOSA1
Infineon Technologies
FP40R12KT3BOSA1
Infineon Technologies
FP35R12W2T4B11BOMA1
Infineon Technologies
FP50R06W2E3BOMA1
Infineon Technologies
FP25R12W2T4B11BOMA1
Infineon Technologies
LCMXO2-256HC-4TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGLE3000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-2FG256I
Microsemi Corporation
EPF10K250EFI672-3
Intel
5SGXMA3E2H29C3N
Intel
EP3SL110F1152I4LN
Intel
XA7A35T-1CSG324Q
Xilinx Inc.
5CEFA7U19C6N
Intel
5CEFA7F31C7N
Intel
10AX066K2F40I2LG
Intel