casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FF1000R17IE4PBOSA1
Número da peça de fabricante | FF1000R17IE4PBOSA1 |
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Número da peça futura | FT-FF1000R17IE4PBOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FF1000R17IE4PBOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | 2 Independent |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1700V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 1000A |
Potência - Max | 1000000W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 1000A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 5mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 81nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF1000R17IE4PBOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FF1000R17IE4PBOSA1-FT |
FP50R06W2E3BOMA1
Infineon Technologies
FP25R12W2T4B11BOMA1
Infineon Technologies
FP25R12KE3BOSA1
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BSM35GP120BOSA1
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FP15R12W1T4PBPSA1
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FP100R12KT4BOSA1
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FF900R12IP4BOSA2
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BSM200GB60DLCHOSA1
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FF75R12RT4HOSA1
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FF600R12IP4BOSA1
Infineon Technologies
XC6SLX9-2FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P250-VQ100
Microsemi Corporation
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC2VP30-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A100T-L1CSG324I
Xilinx Inc.
XA7A15T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
A42MX09-2PQ100I
Microsemi Corporation
LFEC3E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFA5H4F35I3N
Intel
10AX016E4F27E3SG
Intel