casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / DF900R12IP4DVBOSA1
Número da peça de fabricante | DF900R12IP4DVBOSA1 |
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Número da peça futura | FT-DF900R12IP4DVBOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DF900R12IP4DVBOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | Single Chopper |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 900A |
Potência - Max | 5100W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.05V @ 15V, 900A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 5mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 54nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DF900R12IP4DVBOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DF900R12IP4DVBOSA1-FT |
FS150R12KT4BOSA1
Infineon Technologies
FS150R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
FS100R12KE3BOSA1
Infineon Technologies
FP75R12KT4B11BOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KT4B11BOSA1
Infineon Technologies
FP40R12KT3BOSA1
Infineon Technologies
FP35R12W2T4B11BOMA1
Infineon Technologies
FP50R06W2E3BOMA1
Infineon Technologies
FP25R12W2T4B11BOMA1
Infineon Technologies
FP25R12KE3BOSA1
Infineon Technologies
XC2S150-6FGG456C
Xilinx Inc.
A42MX36-3BG272I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100
Microsemi Corporation
EP4SGX230KF40C2
Intel
XC2VP40-7FFG1152C
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C8
Intel
EP4CE75F29I7
Intel
EP3C25F324C8N
Intel
EP1K100QI208-2N
Intel