casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / HTNFET-T
Número da peça de fabricante | HTNFET-T |
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Número da peça futura | FT-HTNFET-T |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HTMOS™ |
HTNFET-T Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 55V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | - |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 100mA, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 100µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3nC @ 5V |
Vgs (máx.) | 10V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 28V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 50W (Tj) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 225°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 4-Power Tab |
Pacote / caso | 4-SIP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HTNFET-T Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HTNFET-T-FT |
IGT60R190D1SATMA1
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