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Infineon Technologies IGT60R190D1SATMA1

Name: IGT60R190D1SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IGT60R190D1SATMA1
Price: 7.017928 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (415 reviews)

Número da peça MFG: IGT60R190D1SATMA1

Quantidade disponível: 18040 Peças

Preço de referência: USD 7.017928

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fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: CoolGaN™ IC GAN FET 600V 23A 8HSOF

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IGT60R190D1SATMA1.pdf

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IGT60R190D1SATMA1 Especificações

Número da peça de fabricante	IGT60R190D1SATMA1
Número da peça futura	FT-IGT60R190D1SATMA1
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	CoolGaN™
IGT60R190D1SATMA1 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	12.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	1.6V @ 960µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (máx.)	-10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	157pF @ 400V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	55.5W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PG-HSOF-8-3
Pacote / caso	8-PowerSFN
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IGT60R190D1SATMA1 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IGT60R190D1SATMA1-FT

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