casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - RF / HSMS-2817-TR2G
Número da peça de fabricante | HSMS-2817-TR2G |
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Número da peça futura | FT-HSMS-2817-TR2G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
HSMS-2817-TR2G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Schottky - 1 Bridge |
Tensão - pico reverso (máximo) | 20V |
Corrente - Max | 1A |
Capacitância @ Vr, F | 1.2pF @ 0V, 1MHz |
Resistência @ Se, F | 15 Ohm @ 5mA, 1MHz |
Dissipação de energia (máx.) | - |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Pacote / caso | TO-253-4, TO-253AA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-143-4 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-2817-TR2G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HSMS-2817-TR2G-FT |
BAR6302LE6433XT
Infineon Technologies
BAR6402LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR8802LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR8902LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR8902LRHE6433XTMA1
Infineon Technologies
BAR9002ELSE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR9002LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAT1502LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAT6202LE6327XTMA1
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BAT 62-09S E6327
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LFEC3E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3PE3000-2PQ208I
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A1010B-1PL68C
Microsemi Corporation
A1020B-2PL68I
Microsemi Corporation
AT40K20-2EQI
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AT6002-4AI
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5SGXMB6R2F40I2N
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10AX027E3F27I2SG
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5SGXMB9R3H43I4N
Intel
5SGXEA3K3F35C2L
Intel