casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - RF / HSMS-2817-TR2G
Número da peça de fabricante | HSMS-2817-TR2G |
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Número da peça futura | FT-HSMS-2817-TR2G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
HSMS-2817-TR2G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Schottky - 1 Bridge |
Tensão - pico reverso (máximo) | 20V |
Corrente - Max | 1A |
Capacitância @ Vr, F | 1.2pF @ 0V, 1MHz |
Resistência @ Se, F | 15 Ohm @ 5mA, 1MHz |
Dissipação de energia (máx.) | - |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Pacote / caso | TO-253-4, TO-253AA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-143-4 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-2817-TR2G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HSMS-2817-TR2G-FT |
BAR6302LE6433XT
Infineon Technologies
BAR6402LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR8802LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR8902LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR8902LRHE6433XTMA1
Infineon Technologies
BAR9002ELSE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR9002LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAT1502LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAT6202LE6327XTMA1
Infineon Technologies
BAT 62-09S E6327
Infineon Technologies
XC3S50AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-3FG676I
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-FG484I
Microsemi Corporation
A54SX08A-PQG208A
Microsemi Corporation
EP4CGX150DF27C8
Intel
5SGXEB9R1H43C2LN
Intel
XC7A100T-2CSG324I
Xilinx Inc.
LFXP2-17E-5FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400C7
Intel
EPF10K100ARC240-1
Intel