casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - RF / BAR6402LRHE6327XTSA1
Número da peça de fabricante | BAR6402LRHE6327XTSA1 |
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Número da peça futura | FT-BAR6402LRHE6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BAR6402LRHE6327XTSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | PIN - Single |
Tensão - pico reverso (máximo) | 150V |
Corrente - Max | 100mA |
Capacitância @ Vr, F | 0.35pF @ 20V, 1MHz |
Resistência @ Se, F | 1.35 Ohm @ 100mA, 100MHz |
Dissipação de energia (máx.) | 250mW |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Pacote / caso | SOD-882 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TSLP-2 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAR6402LRHE6327XTSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BAR6402LRHE6327XTSA1-FT |
BAP64-05W,135
NXP USA Inc.
BAP64-06W,115
NXP USA Inc.
BAP65-05W,115
NXP USA Inc.
BAP50-04W,115
NXP USA Inc.
BAP63-05W,115
NXP USA Inc.
BAT18,215
NXP USA Inc.
BAP64-04,215
NXP USA Inc.
BAP64-06,215
NXP USA Inc.
BAP50-05,215
NXP USA Inc.
BAP64-05,215
NXP USA Inc.
AX250-FGG484I
Microsemi Corporation
AGL030V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EPF6016AFC256-1
Intel
XC6VLX130T-L1FF784I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281
Microsemi Corporation
LFE2-12SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTMC7G3F31I3N
Intel
EP2AGX65CU17C6NES
Intel
EP2AGX190EF29I5
Intel
EP4CE40F19A7N
Intel