casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - RF / BAT 62-09S E6327
Número da peça de fabricante | BAT 62-09S E6327 |
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Número da peça futura | FT-BAT 62-09S E6327 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BAT 62-09S E6327 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de Diodo | Schottky - 2 Independent |
Tensão - pico reverso (máximo) | 40V |
Corrente - Max | 20mA |
Capacitância @ Vr, F | 0.6pF @ 0V, 1MHz |
Resistência @ Se, F | - |
Dissipação de energia (máx.) | 100mW |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Pacote / caso | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-SOT363-6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT 62-09S E6327 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BAT 62-09S E6327-FT |
BAP50-05,215
NXP USA Inc.
BAP64-05,215
NXP USA Inc.
BAP50-04,215
NXP USA Inc.
BAP65-05,215
NXP USA Inc.
BAP70-05,215
NXP USA Inc.
BAT18,235
NXP USA Inc.
BAP1321-04,215
NXP USA Inc.
BAP50LX,315
NXP USA Inc.
BAP64LX,315
NXP USA Inc.
BAP51LX,315
NXP USA Inc.
M7A3P1000-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LFE5U-85F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
10M16DAF256I7G
Intel
5SGXMA7N1F40C1N
Intel
5SGXEA5H2F35I2L
Intel
XC7K410T-L2FFG676E
Xilinx Inc.
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel
EP2S130F1020I4N
Intel