casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - RF / BAR9002ELSE6327XTSA1
Número da peça de fabricante | BAR9002ELSE6327XTSA1 |
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Número da peça futura | FT-BAR9002ELSE6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BAR9002ELSE6327XTSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | PIN - Single |
Tensão - pico reverso (máximo) | 80V |
Corrente - Max | 100mA |
Capacitância @ Vr, F | 0.35pF @ 1V, 1MHz |
Resistência @ Se, F | 800 mOhm @ 10mA, 100MHz |
Dissipação de energia (máx.) | 250mW |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Pacote / caso | 0201 (0603 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TSSLP-2-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAR9002ELSE6327XTSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BAR9002ELSE6327XTSA1-FT |
BAP63-05W,115
NXP USA Inc.
BAT18,215
NXP USA Inc.
BAP64-04,215
NXP USA Inc.
BAP64-06,215
NXP USA Inc.
BAP50-05,215
NXP USA Inc.
BAP64-05,215
NXP USA Inc.
BAP50-04,215
NXP USA Inc.
BAP65-05,215
NXP USA Inc.
BAP70-05,215
NXP USA Inc.
BAT18,235
NXP USA Inc.
M2GL025TS-FCSG325
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
M2GL010-1FG484
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4S40G2F40I3N
Intel
5SGXEB6R3F43I3L
Intel
A40MX02-1PQ100I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C3
Intel