casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - RF / BAR9002ELSE6327XTSA1
Número da peça de fabricante | BAR9002ELSE6327XTSA1 |
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Número da peça futura | FT-BAR9002ELSE6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BAR9002ELSE6327XTSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | PIN - Single |
Tensão - pico reverso (máximo) | 80V |
Corrente - Max | 100mA |
Capacitância @ Vr, F | 0.35pF @ 1V, 1MHz |
Resistência @ Se, F | 800 mOhm @ 10mA, 100MHz |
Dissipação de energia (máx.) | 250mW |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Pacote / caso | 0201 (0603 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TSSLP-2-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAR9002ELSE6327XTSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BAR9002ELSE6327XTSA1-FT |
BAP63-05W,115
NXP USA Inc.
BAT18,215
NXP USA Inc.
BAP64-04,215
NXP USA Inc.
BAP64-06,215
NXP USA Inc.
BAP50-05,215
NXP USA Inc.
BAP64-05,215
NXP USA Inc.
BAP50-04,215
NXP USA Inc.
BAP65-05,215
NXP USA Inc.
BAP70-05,215
NXP USA Inc.
BAT18,235
NXP USA Inc.
XCKU11P-2FFVE1517I
Xilinx Inc.
XCV200-5FG456C
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG484
Microsemi Corporation
A54SX16-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGXEA4K1F40C2N
Intel
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EBI652-2X
Intel
5SGXMA3H3F35I3LN
Intel