casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / GBU808TB
Número da peça de fabricante | GBU808TB |
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Número da peça futura | FT-GBU808TB |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GBU808TB Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 800V |
Atual - Média Retificada (Io) | 8A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 8A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 800V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-ESIP |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | GBU |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU808TB Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GBU808TB-FT |
KMB28STR
SMC Diode Solutions
KMB225STR
SMC Diode Solutions
GBJ2006TB
SMC Diode Solutions
GBJ2010TB
SMC Diode Solutions
GBJ3510TB
SMC Diode Solutions
GBJ606TB
SMC Diode Solutions
GBJ2506TB
SMC Diode Solutions
GBJ1010TB
SMC Diode Solutions
GBJ3506TB
SMC Diode Solutions
GBJ610TB
SMC Diode Solutions
A1010B-2PQG100C
Microsemi Corporation
XC6SLX100-L1CSG484C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-2FGG484C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M2GL005S-VFG256
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQ100I
Microsemi Corporation
5SEEBH40I2N
Intel
XC7V2000T-2FHG1761C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50RI240-4N
Intel