casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / GBJ3506TB
Número da peça de fabricante | GBJ3506TB |
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Número da peça futura | FT-GBJ3506TB |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GBJ3506TB Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 600V |
Atual - Média Retificada (Io) | 35A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 600V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-ESIP |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | GBJ |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ3506TB Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GBJ3506TB-FT |
MBS2HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS4HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB4S RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB4SHRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB6SHRCG
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MBS10HRCG
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MBS2 RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS6 RCG
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MBS6HRCG
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MBS8HRCG
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AGL400V2-FG256
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A3PE600-1FG256I
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EPF10K200SFC672-1X
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EPF10K200SFC484-2X
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LFE3-150EA-8FN672C
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