casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / GBJ1010TB
Número da peça de fabricante | GBJ1010TB |
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Número da peça futura | FT-GBJ1010TB |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GBJ1010TB Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 1kV |
Atual - Média Retificada (Io) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 10A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 1000V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-ESIP |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | GBJ |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ1010TB Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GBJ1010TB-FT |
RMB2S RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS2HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS4HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB4S RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB4SHRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB6SHRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS10HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS2 RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS6 RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS6HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S1600E-4FGG400Q
Xilinx Inc.
XC2S100-5FGG256I
Xilinx Inc.
EP3SL70F484C2N
Intel
EP4SGX180KF40C4N
Intel
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
XC7A200T-1SBG484I
Xilinx Inc.
XC3030-100PC68C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFA5H4F35C4N
Intel