casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / GBJ3510TB
Número da peça de fabricante | GBJ3510TB |
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Número da peça futura | FT-GBJ3510TB |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GBJ3510TB Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 1kV |
Atual - Média Retificada (Io) | 35A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 1000V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-ESIP |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | GBJ |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ3510TB Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GBJ3510TB-FT |
MBS10 RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB6S RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS4 RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB2S RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS2HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS4HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB4S RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB4SHRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB6SHRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS10HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
XCV300E-7FG256C
Xilinx Inc.
XC7S100-L1FGGA484I
Xilinx Inc.
XA6SLX75-3FGG484Q
Xilinx Inc.
EP2C35U484C7N
Intel
5SGXEA5K2F35C1N
Intel
LFX125EB-03F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-256HC-5UMG64C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34E3SG
Intel
5CGXFC3B6U15I7N
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EP20K160EQC208-1X
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