casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / GBJ3510TB
Número da peça de fabricante | GBJ3510TB |
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Número da peça futura | FT-GBJ3510TB |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GBJ3510TB Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 1kV |
Atual - Média Retificada (Io) | 35A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 1000V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-ESIP |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | GBJ |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ3510TB Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GBJ3510TB-FT |
MBS10 RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB6S RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS4 RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB2S RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS2HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS4HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB4S RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB4SHRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB6SHRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS10HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-2QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
AGL030V5-VQ100
Microsemi Corporation
M1A3P250-1VQ100
Microsemi Corporation
10M16DCF484C7G
Intel
5SGSMD8K3F40I3LN
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5SGXEB6R2F40C3
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LFE2M50E-5F672C
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EPF10K30AQI240-3N
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