casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / GBJ610TB
Número da peça de fabricante | GBJ610TB |
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Número da peça futura | FT-GBJ610TB |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GBJ610TB Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 1kV |
Atual - Média Retificada (Io) | 6A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 6A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 1000V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-ESIP |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | GBJ |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ610TB Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GBJ610TB-FT |
MBS4HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB4S RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB4SHRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB6SHRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS10HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS2 RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS6 RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS6HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS8HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU607 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-5TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A35T-3FTG256E
Xilinx Inc.
XC7A12T-2CSG325I
Xilinx Inc.
M1AFS600-FGG484K
Microsemi Corporation
A3PN030-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K10FC256-2N
Intel
5SGSMD5H3F35C2L
Intel
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FTQ100
Microsemi Corporation
EP1S40F1508C7N
Intel