casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / GA04JT17-247
Número da peça de fabricante | GA04JT17-247 |
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Número da peça futura | FT-GA04JT17-247 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GA04JT17-247 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | - |
Tecnologia | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 1700V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) (95°C) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480 mOhm @ 4A |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (máx.) | - |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 106W (Tc) |
Temperatura de operação | 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247AB |
Pacote / caso | TO-247-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GA04JT17-247 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GA04JT17-247-FT |
IPT004N03LATMA1
Infineon Technologies
IAUT300N10S5N015ATMA1
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