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ON Semiconductor FQI7N10LTU

Name: FQI7N10LTU
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQI7N10LTU
Availability: InStock
Rating: 4.8 (194 reviews)

Número da peça MFG: FQI7N10LTU

Quantidade disponível: 12360 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: QFET® MOSFET N-CH 100V 7.3A I2PAK

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: FQI7N10LTU.pdf

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FQI7N10LTU Especificações

Número da peça de fabricante	FQI7N10LTU
Número da peça futura	FT-FQI7N10LTU
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	QFET®
FQI7N10LTU Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	7.3A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	350 mOhm @ 3.65A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	6nC @ 5V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	290pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	3.75W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	I2PAK (TO-262)
Pacote / caso	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQI7N10LTU Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	FQI7N10LTU-FT

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