casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FD600R17KE3B2NOSA1
Número da peça de fabricante | FD600R17KE3B2NOSA1 |
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Número da peça futura | FT-FD600R17KE3B2NOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FD600R17KE3B2NOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Single Chopper |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1700V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | - |
Potência - Max | 4300W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 600A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 5mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 54nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FD600R17KE3B2NOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FD600R17KE3B2NOSA1-FT |
FF1000R17IE4PBOSA1
Infineon Technologies
FF1400R12IP4PBOSA1
Infineon Technologies
FF1400R17IP4PBOSA1
Infineon Technologies
FF450R12IE4BOSA2
Infineon Technologies
FF600R12IE4PNOSA1
Infineon Technologies
FF600R12IE4VBOSA1
Infineon Technologies
FF600R12IP4VBOSA1
Infineon Technologies
FF600R12IS4F
Infineon Technologies
FF650R17IE4DB2BOSA1
Infineon Technologies
FF650R17IE4DPB2BOSA1
Infineon Technologies
XC4005E-3PQ100I
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-PQG208I
Microsemi Corporation
10AX016C4U19E3LG
Intel
10M50DAF484I6G
Intel
EP4CE22F17C8
Intel
LCMXO640E-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190EF29I5G
Intel
EP4SGX110FF35C4
Intel