casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FF600R12IE4VBOSA1
Número da peça de fabricante | FF600R12IE4VBOSA1 |
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Número da peça futura | FT-FF600R12IE4VBOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FF600R12IE4VBOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | 2 Independent |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 600A |
Potência - Max | 3350W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.05V @ 15V, 600A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 5mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 37nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF600R12IE4VBOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FF600R12IE4VBOSA1-FT |
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APA750-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-SWG16TR50
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEBBR3H43C2LN
Intel
XCS40XL-5BG256C
Xilinx Inc.
XC7S15-1CPGA196I
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation