casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FF650R17IE4DPB2BOSA1
Número da peça de fabricante | FF650R17IE4DPB2BOSA1 |
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Número da peça futura | FT-FF650R17IE4DPB2BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FF650R17IE4DPB2BOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | 2 Independent |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1700V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 650A |
Potência - Max | - |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 650A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 5mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 54nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF650R17IE4DPB2BOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FF650R17IE4DPB2BOSA1-FT |
FF600R12IP4BOSA1
Infineon Technologies
FF600R12IE4BOSA1
Infineon Technologies
FF50R12RT4HOSA1
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FF450R12ME4BOSA1
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FF300R17ME4BOSA1
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FF200R17KE3HOSA1
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FF300R12KT4HOSA1
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FF200R06KE3HOSA1
Infineon Technologies
FF200R12KE4HOSA1
Infineon Technologies
FF200R12KT4HOSA1
Infineon Technologies
XC6SLX75T-N3FG676C
Xilinx Inc.
A3PE600-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP2C20F256C7N
Intel
5SGXMA5K2F40C2N
Intel
10M04SCE144I7G
Intel
5SGXEABK3H40C2L
Intel
XC6SLX9-2CSG225C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation