casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FF650R17IE4DB2BOSA1
Número da peça de fabricante | FF650R17IE4DB2BOSA1 |
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Número da peça futura | FT-FF650R17IE4DB2BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FF650R17IE4DB2BOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | - |
Configuração | 2 Independent |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1700V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | - |
Potência - Max | 4150W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 650A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 5mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 54nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF650R17IE4DB2BOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FF650R17IE4DB2BOSA1-FT |
FF75R12RT4HOSA1
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10AX016C4U19E3LG
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10M50DAF484I6G
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EP2AGX190EF29I5G
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