casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / CIL10Y120KNC
Número da peça de fabricante | CIL10Y120KNC |
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Número da peça futura | FT-CIL10Y120KNC |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIL10 |
CIL10Y120KNC Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | - |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 12µH |
Tolerância | ±10% |
Classificação atual | 5mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 2.75 Ohm Max |
Q @ Freq | 35 @ 2MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 15MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C |
Frequência de Indutância - Teste | 2MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0603 (1608 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0603 (1608 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.037" (0.95mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIL10Y120KNC Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIL10Y120KNC-FT |
CIGT201608LMR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21L2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21W2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21L1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21LR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201208EHR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21W4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21L4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UHR24MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21L1R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX090S4F45E3SG
Intel
EP2SGX60DF780C3
Intel