casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / CIH03Q2N2SNC
Número da peça de fabricante | CIH03Q2N2SNC |
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Número da peça futura | FT-CIH03Q2N2SNC |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIH03Q |
CIH03Q2N2SNC Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 2.2nH |
Tolerância | ±0.3nH |
Classificação atual | 330mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 200 mOhm Max |
Q @ Freq | 17 @ 500MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 10GHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 500MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0201 (0603 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0201 (0603 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.013" (0.33mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIH03Q2N2SNC Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIH03Q2N2SNC-FT |
CIGT201210UMR68MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21F1R0MNC
Samsung Electro-Mechanics
CIG21F1R5MNC
Samsung Electro-Mechanics
CIG21F2R2MNC
Samsung Electro-Mechanics
CIG21FR47MNC
Samsung Electro-Mechanics
CIG21W1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201208EH2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UH1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UH1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UHR68MNE
Samsung Electro-Mechanics
XCV50E-6FG256I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P060-1VQG100I
Microsemi Corporation
XC7A200T-1FB484C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FF1761I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H4F34E3SG
Intel
EP3C25F324I7
Intel
EP20K300EQC208-2
Intel