casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / CIG21W1R5MNE
Número da peça de fabricante | CIG21W1R5MNE |
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Número da peça futura | FT-CIG21W1R5MNE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIG21W |
CIG21W1R5MNE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 1.5µH |
Tolerância | ±25% |
Classificação atual | 960mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 150 mOhm |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIG21W1R5MNE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIG21W1R5MNE-FT |
CIGW252010GLR68MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610EHR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610LH1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610EH1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610EH2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610LHR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201608EHR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610LHR24MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610LM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610LM2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel