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Número da peça de fabricante | CIGT201210UH1R5MNE |
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Número da peça futura | FT-CIGT201210UH1R5MNE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIGT |
CIGT201210UH1R5MNE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Thin Film |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Indutância | 1.5µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 2.1A |
Atual - saturação | 2.6A |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 97 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0805 (2012 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT201210UH1R5MNE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIGT201210UH1R5MNE-FT |
CIGT201610EH1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610EH2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610LHR47MNE
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CIGT201608EHR47MNE
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CIGT201610LHR24MNE
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CIGT201610LM1R0MNE
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CIGT201610LM2R2MNE
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A1010B-1PL68C
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD5K3F40I4
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XC7A200T-3FBG484E
Xilinx Inc.
XC4VFX60-11FF1152C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C7
Intel