casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / CIGT201210UMR68MNE
Número da peça de fabricante | CIGT201210UMR68MNE |
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Número da peça futura | FT-CIGT201210UMR68MNE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIGT |
CIGT201210UMR68MNE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Thin Film |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Indutância | 680nH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | - |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | - |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0805 (2012 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT201210UMR68MNE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIGT201210UMR68MNE-FT |
CIGT252010LM2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252012LM2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252012LMR68MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GL3R3MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GLR33MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GLR68MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610EHR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610LH1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610EH1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610EH2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
EPF10K20TC144-4
Intel
LFEC3E-4TN144C
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M2GL010-1VF400
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40I2N
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF29C6ES
Intel