casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / CIH03Q18NJNC
Número da peça de fabricante | CIH03Q18NJNC |
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Número da peça futura | FT-CIH03Q18NJNC |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIH03Q |
CIH03Q18NJNC Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 18nH |
Tolerância | ±5% |
Classificação atual | 140mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 1.05 Ohm Max |
Q @ Freq | 11 @ 500MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 2.3GHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 500MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0201 (0603 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIH03Q18NJNC Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIH03Q18NJNC-FT |
CIG21LR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201208EHR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21W4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21L4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UHR24MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21L1R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21C2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21C4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21L1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21L3R3MNE
Samsung Electro-Mechanics
A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel